第15章 卤素与稀有气体¶
本章中心问题¶
卤素只差一个电子达到稀有气体排布,是否就能仅凭“高电负性”解释全部氧化性? \(\ce{F2}\)的F—F键并非同族最强,为何它却是极强氧化剂?HF在水中为何不像 HCl、HBr、HI那样完全解离?卤素怎样出现\(+1,+3,+5,+7\)等正氧化态?曾被称为 “惰性”的稀有气体又为什么能形成\(\ce{XeF2}\)、\(\ce{XeF4}\)、\(\ce{XeF6}\)?
分子结构与相变
→ 卤素单质的物态、颜色和键能
完整热力学循环
→ X₂/X⁻氧化性与HX酸性
含氧配体和F配体稳定高氧化态
→ 含氧酸、互卤化物、多卤离子
高电离能不是无限大
→ 稀有气体在强氧化/强配位条件下成键
学习本章之前¶
必须掌握¶
建议熟悉¶
本章学习成果¶
完成本章后,你应该能够:
- 比较\(\ce{F2}\)到\(\ce{I2}\)的颜色、物态和分子间作用;
- 解释X—X键能为何不沿族简单单调;
- 用键断裂、电子获得和溶剂化共同解释水中卤素氧化性;
- 用标准电势判断卤素—卤离子置换并注明条件;
- 区分卤素的热力学氧化性与实际反应速率;
- 说明卤素与水、碱的歧化受元素和条件控制;
- 比较HF、HCl、HBr、HI的气相键强、热稳定性和水中酸性;
- 比较\(\ce{F-}\)、\(\ce{Cl-}\)、\(\ce{Br-}\)、\(\ce{I-}\)的水合与还原性;
- 区分离子型、分子型和可水解卤化物;
- 解释卤化物的水解、Lewis酸性和配位行为;
- 比较代表性卤素含氧酸的结构、酸性、氧化性和稳定性;
- 不用“氧化态越高”直接推出“氧化性越强”;
- 判断简单互卤化物\(\ce{XY}\)、\(\ce{XY3}\)、\(\ce{XY5}\)、\(\ce{XY7}\) 的中心、几何和氧化态;
- 解释\(\ce{I3-}\)等多卤离子的形成和三中心成键;
- 说明稀有气体高电离能为何只是反应门槛而非绝对禁令;
- 比较\(\ce{XeF2}\)、\(\ce{XeF4}\)、\(\ce{XeF6}\)的电子域和几何;
- 选择Lewis、VSEPR、3c–4e或离域MO描述代表性高配位物种;
- 识别卤素、氟化氢及强氧化性稀有气体化合物的安全边界。
核心单元¶
| 单元 | 标题 | 状态 |
|---|---|---|
| 15.1 | 卤素单质与氧化性 | 初稿完成 |
| 15.2 | 卤化氢、氢卤酸与卤化物 | 初稿完成 |
| 15.3 | 卤素含氧酸、互卤化物与多卤离子 | 初稿完成 |
| 15.4 | 稀有气体化学与“超价”模型 | 初稿完成 |
| 章末 | 知识地图、综合练习与章节测验 | 章内复核完成 |
本章不负责¶
- 罗列全部互卤化物、多卤阴阳离子和稀有气体化合物;
- 用单一电负性或单一键能解释溶液氧化性;
- 以孤立原子电子亲和能替代完整溶液自由能循环;
- 展开氯碱、氟化工或稀有气体化合物的工业设备细节;
- 把\(sp^3d\)、\(sp^3d^2\)标签当作高配位成键的物理证明;
- 提供卤素、无水HF、强氧化性氟化物或Xe化合物的制备操作。
本章坚持“先列能量账本,再谈趋势;先定具体物种,再谈氧化性”的顺序。